细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
硅研磨机械工艺流程
晶圆的制备④硅片研磨加工丨半导体行业
2021年12月12日 研磨按照机械运动形式的不同可分为旋转式磨片法、行星式磨片法和平面磨片法等。 按表面加工的特点不同又可分为单面磨片法和双面磨片法。 所谓单面磨片法，就是对一 2021年9月7日 本发明提供了一种半导体硅片的研磨方法，采用双面研磨工艺，通过选择合适的磨盘、研磨液、研磨压力及研磨转速等工艺参数，获得的硅研磨片表面无刀痕、鸦爪、划伤、裂 半导体硅片的研磨方法百度文库2023年12月1日 步: 将硅片固定在抛光头最下面，抛光垫放置在研磨盘上； 第二步: 旋转的抛光头以一定压力压在旋转的抛光垫上，在硅片表面和抛光垫之间加入流动的研磨液 (由亚徽米 CMP研磨工艺简析 知乎2024年8月23日 机械球磨法是一种传统的硅碳负极材料制备工艺，其核心在于纳米硅的制备。 该工艺流程包括投料、混合、湿法研磨、喷雾干燥、包覆、烧结、粉碎、除磁和包装等步骤。硅碳负极材料制备工艺：机械球磨法与气相沉积法的
背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK
2020年10月15日 背面研磨具体可以分为以下三个步骤：、在晶圆上贴上保护胶带贴膜（Tape Lamination）；第二、研磨晶圆背面；第三、在将芯片从晶圆中分离出来前，需要将晶圆安置在保护胶带的晶圆贴片（Wafer Mounting） 2023年11月29日 减薄晶圆的机械背面研磨是常用的减薄方法之一，其基本流程包括以下几个步骤： 1 选取研磨机和研磨轮 选择适用的研磨机和研磨轮是首要任务。 一般选取刚性较好的研磨 晶圆减薄工艺机械背面研磨和抛光工艺及设备 哔哩哔哩2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。 1切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶棒切 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎本发明提供了一种半导体硅片的研磨方法,采用双面研磨工艺,通过选择合适的磨盘、研磨液、研磨压力及研磨转速等工艺参数,获得的硅研磨片表面无刀痕、鸦爪、划伤、裂纹等,表面光洁度良 半导体硅片的研磨方法 百度学术
硅片的研磨：历史回顾,International Journal of Machine
2008年10月1日 高质量硅晶片的制造涉及多种加工过程，包括磨削。 这篇评论文章讨论了硅晶圆研磨的历史观点、晶圆尺寸进展对硅晶圆制造中研磨应用的影响，以及研磨与其他两种硅加工 2023年11月27日 半导体项目融资，投资人看项目，请联系作者：chip919化学机械研磨 (CMP)，全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization，是一种全局平坦化工艺，几乎每一座晶圆厂都会用到，在现代 化学机械研磨（cmp）工艺简介 知乎2024年8月23日 本文将深入解析这两种工艺，并对比其优劣。01 机械球磨法工艺解析 机械球磨法是一种传统的硅碳负极材料制备工艺，其核心在于纳米硅的制备。该工艺流程包括投料、混合、湿法研磨、喷雾干燥、包覆、烧结、粉碎、除磁和包装等步骤。硅碳负极材料制备工艺：机械球磨法与气相沉积法的对比与应用晶圆研磨是一种全平面化工艺，通过去除通常由背面研磨造成的表面损伤来提高晶圆平面度。这种工艺在硅晶圆上最为常见，但某些应用也要求砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）晶片采用这种工艺。研磨在两个反向旋转的铸铁板和研磨薄膜或研磨浆之间进行。晶圆减薄 SVM
硅块制粉的工艺流程 知乎专栏
2023年3月28日 破碎以及筛分工艺是生产硅粉过程中最主要流程 之一。通常硅粉是由硅块作为主要原料，其生产流程如下： 1）投料 2）粗碎 新乡市伟良筛分机械有限公司在硅 粉筛分领域有着丰富的经验，合作与多家企业，致力于解决客户的各种筛分问题 2022年4月1日 氮化硅陶瓷制作工艺流程 制备工艺流程：聚合物的热分解是制备碳化物和氮化物的另一种技术日本正在研究用聚硅烷作为制备氮化硅的前驱体，因为用它可获得高产率的陶瓷粉体，高含量的聚硅烷可使生坯密度高达理论密度的62％该密度在聚硅烷热解后不变化，收缩率小，机械强度与普通方法制备的 耐高温无压烧结氮化硅陶瓷轴承环的特性及制作工艺流程 知乎单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程外径滚磨的设备：磨床平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。 处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。切片的设备：内 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程百度文库2023年3月8日 2晶圆工艺，晶圆上制造半导体器件，虽然详细的加工处理程序与产品种类和所使用的技术有关，但是基本处理步骤通常都是硅片先经过适当的清洗之后，接着进行氧化及沉积，最后进行循环型工艺步骤，完成硅片上电路的加工与制作形成晶圆。具体流程如下大致芯片产业链系列3超级长文解析芯片制造全流程 知乎
芯片制造全工艺流程中国科学院西安光学精密机械研究所公共
2024年8月27日 中国科学院西安光学精密机械研究所公共技术中心是由我所的检测技术研究中心的仪器设备资源和支撑人员组成的。创建初期，中心主要围绕先进检测技术建立了科学研究工作所必需的先进和完善的仪器设备设施和共享体系。2011年8月经过审核正式批准成为所级服务中心。单晶硅棒生产工艺拉拔完成后，可以对硅棒进行加工和清洗等步骤。加工可以通过机械研磨、酸蚀等方法来调整硅 棒的尺寸和表面平整度。清洗可以通过酸洗、超声波清洗等方法，去除硅棒表面的杂质和污垢。最后，经过质量检验合格的硅棒可以切割成 单晶硅棒生产工艺 百度文库2024年8月27日 中国科学院西安光学精密机械研究所公共技术中心是由我所的检测技术研究中心的仪器设备资源和支撑人员组成的。创建初期，中心主要围绕先进检测技术建立了科学研究工作所必需的先进和完善的仪器设备设施和共享体系。2011年8月经过审核正式批准成为所级服务中心。芯片制造全工艺流程中国科学院西安光学精密机械研究所公共 2024年9月26日 【半导体工艺】这绝对是B站讲的最全的半导体工艺和设备教程，从入门到精通，少走99%的弯路！这还学不会，我退出机械圈！共计22条视频，包括：1半导体工艺流程概述、2拉硅棒、3硅棒研磨 【半导体工艺】这绝对是B站讲的最全的半导体工艺和设备
铝土矿选矿工艺流程 知乎
2023年9月17日 铝土矿选矿工艺流程反浮选脱硅工艺流程 铝土矿的反浮选脱硅是通过抑制水铝石，采用阳离子捕收剂或阴离子捕收剂浮选铝硅酸盐矿物。 由于各种铝硅酸盐矿物的表面性质相差很大，导致他们彼此间的可浮性也不一样。2023年8月2日 晶圆减薄工艺是半导体器件制造中的一项关键工艺，它的主要作用是在晶圆的背面进行研磨，将硅材料减薄，以便进行芯片的加工和封装。晶圆减薄工艺的步骤主要包括： 1 选取合适的晶圆：选择晶圆时需要根据生产要求和 晶圆减薄工艺小结机械背面研磨和抛光工艺及设备2024年2月1日 经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； 知乎专栏2021年6月22日 该产品一般不需研磨加工即可使用反应烧结法适于制造形状复杂， 尺寸精确的零件， 成本也低， 但氮化时间很长 反应烧结合氮化硅的优点: § 制造形状很复杂的产品， 不需要昂贵的机械加工， 尺寸精度容易控制；§ 不需要添加烧结助剂 2、 热压烧结法（ HPS)氮化硅陶瓷制备方法（全） 知乎专栏
半导体原材料到抛光晶片的工艺流程 知乎
2023年4月17日 首先我们先来看看从半导体原材料到抛光晶片的基本工艺流程 ： 制备硅晶体片所需要的原材料是二氧化硅，二氧化硅经过化学处理后，得到生长单晶所需要的高纯度多晶半导体，单晶锭在生长时应控制其直径的大小，然后切割形成晶片。最后 2023年11月29日 减薄晶圆的机械背面研磨是常用的减薄方法之一，其基本流程包括以下几个步骤： 1 选取研磨机和研磨轮 选择适用的研磨机和研磨轮是首要任务。一般选取刚性较好的研磨机，研磨轮的种类较多，如金刚石砂轮、绿碳化硅砂轮等，需要根据晶圆材料的不同而选择不同的砂 晶圆减薄工艺机械背面研磨和抛光工艺及设备 哔哩哔哩2024年2月19日 2 加工混炼：将原料送入混炼机中进行混炼加工。混炼机利用机械剪切力和热作用将硅橡胶原料充分混合，使其成为柔软的物料。在混炼过程中，还需要加入硫化剂，以提高硅橡胶制品的耐用性和弹性。 3 成型：将混炼好的硅橡胶放入专用的成型机中进行成型。带你了解硅橡胶制品生产工艺流程 矽派 SiParts2024年9月11日 高精度和平整度： 通过化学机械抛光，可以实现高达纳米级的表面平整度，满足现代集成电路对基片表面要求极高的需求。多功能性： CMP不仅用于硅晶圆片的平坦化，还可以处理有机物等低介电常数物质，并且在多层布线中发挥重要作用。 CMP技术的应用探索半导体制造中的革命性技术——化学机械抛光（CMP）
半导体制造工艺，这篇文章讲全了 知乎
2023年3月3日 离子注入和热处理工艺 硅半导体不能只在本征区或同类型的杂质区中形成晶体管并工作，因为硅是单晶，所以硅原子是有规律排列的。 本文仅仅揭示了半导体制造工艺的九牛一毛，希望能让读者们对基础的芯片工艺流程 2022年7月6日 作为纳米材料分散研磨领域的领军企业，面向硅碳负极材料制备，琥崧开发了覆盖从实验室，到中试再到产业化的全流程解决方案。 瞄准纳米材料研磨的无筛网化，琥崧的纳米砂磨机采用双离心分离，可利用离心力和向心力差，实现研磨介质与物料的分离，保障液体介质出料顺 琥崧智能：纳米分散研磨技术助力硅碳负极产业化2022年4月20日 详解硅片的研磨、抛光和清洗技术在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光硅等，并将其加工成晶片形状的工艺（晶片制造工艺）；（2）在晶片上形成IC的工艺（前一工艺 详解硅片的研磨、抛光和清洗技术 今日头条 电子发烧友网2016年4月26日 素，提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法，在研磨加工过程中减少强烈的、单一的 机械作用，增加化学作用．通过实验研究得出了研磨速率提高20％，表面粗糙度降低，有效地降低了硅片表面损伤．ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究
良好的高温强度高致密氮化硅陶瓷密封条的特性及工艺流程
2022年4月8日 氮化硅陶瓷制作工艺流程 制备工艺流程：高效液相法的化学反应式以下：该方式 关键所在制取纯的硅亚胺SiCl4和NH3为放热反应播映，常温状态非常容易反映因此加工工艺上规定操纵反应时间和除净副产品选用这类方式 生产制造的Si3N4具备纯净度高、粒度超微粒并且匀称，因此发展趋势迅速日本国UBE 单晶硅生产工艺流程： 1、石头加工 开始是石头，(石头都含硅) ，把石头加热，变成液态，在加热变 成气态，把气体通过一个密封的大箱子，箱子里有 N 多的子晶加热， 两头用石墨夹住的，气体通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符 到子晶上，子晶 单晶硅硅棒开方工艺流程合集百度文库2016年7月8日 硅基加工技术是MEMS 器件的一个主流加工技术，包括体硅与表面加工工艺，体硅工艺比较适合制作高深宽比、高灵敏度MEMS 芯片，但与IC工艺兼容性稍差，而表面工艺加工的MEMS结构的深宽比较小，但易与IC 兼容，国内外有多个MEMS标准工艺加工服务的硅MEMS加工工艺介绍12 LED 芯片制作的工艺流程 LED 的制作工艺与半导体器件的制作工艺有很多相同之处。因此，除了个别设备之外，多数半导体设备经过适当的改造后，均可用于 LED 产品的制作。图 15 给出了制作 LED 芯片的工艺流程及相应工艺所需的设备。 LED 制作工艺知乎盐选 12 LED 芯片制作的工艺流程
碳化硅SiC衬底生产工艺流程及方法 知乎
2024年2月29日 研磨抛光是将衬底表面加工至原子级光滑平面，衬底的表面状态，例如表面粗糙度，厚度均匀性都会直接影响外延工艺的质量。 碳化硅具有高硬度的特点，常用的适合碳化硅的磨料有碳化硼、金刚石等高硬度磨料。2020年10月15日 背面研磨（Back Grinding）详细工艺流程 图2 背面研磨 三步骤 下载图片 背面研磨具体可以分为以下三个步骤：、在晶圆上贴上保护胶带贴膜（Tape Lamination）；第二、研磨晶圆背面；第三、在将芯片从晶圆中分离出来前，需要将晶圆安置在保护 背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK hynix Newsroom2024年6月5日 研磨加工有多种类型。建议根据工件的材料、形状和质量要求，选择合适的方法。 砂石研磨 砂石研磨是一种使用砂石研磨工件表面的方法。有两种方式，一种是将工件放在高速旋转的砂轮上打磨（使用与磨削加工类似的工具），另一种是在保持砂石固定的情况下移动工件（例如 什么是研磨加工？介绍其加工种类和工艺流程 米思米 MISUMIDHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。 磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。 腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。单晶硅棒切片工艺详细流程百度文库
硅基负极材料生产流程百度文库
传统的硅材料制备方法主要有机热法、湿法和机械合成法。机热法是将硅源和还原剂在高温条件下反应得到纳米硅材料，湿法是将硅源溶解在溶剂中，通过沉淀和干燥得到硅材料，机械合成法是通过机械力对硅源进行研磨和球磨得到硅材料。硅溶胶铸造工艺流程将熔融金属快速倒入模具中，保持适当的倒注速度和倒注角度，以确保铸件充填完整并避免产生气泡。 对铸件进行机械加工，包括切割、钻孔、研磨 等，以达到设计要求的尺寸和形状。 64 表面处理 对铸件进行表面处理，包括 硅溶胶铸造工艺流程 百度文库2023年9月17日 铝土矿加工工艺流程步骤如下： 1、破碎流程：开采后的铝矿进入到颚式破碎机内初步的破碎加工处理，实现简单的脉石分离作业；2、磨矿流程：初步破碎后的铝土矿被送入到球磨机内进一步研磨加工处理，并由螺旋分级机分级成多种不同规格，不合格矿浆（粉）返回球磨 铝土矿加工工艺流程 知乎2024年4月28日 前两种抛光法都有自己独特的优点,若将这两种方法结合起来,则可在工艺上达到优缺互补的效果｡化学机械抛光法利用抛光液对硅片表面的机械研磨和化学腐蚀的双重作用,兼有机械抛光和化学抛光两种抛光方法的优点｡CMP是业界发展起来的制造大直径晶圆的技术半导体工艺及设备之一：晶圆片的制造多晶硅硅片材料
高精度氮化硅陶瓷球批量加工中研磨机理及工艺的研究
本文对适合高精度氮化硅陶瓷球批量研磨加工的工艺流程进行实验研究,并基于传统研磨设备的基础之上改进 研制出适合批量研磨加工高精度球的新型研磨设备。本文主要研究工作包括以下几个方面:1对研磨过程中陶瓷球球形误差渐变过程及球径趋于一致 2020年7月29日 2 硅部件制品加工流程 通过对大直径硅单晶棒进行精密加工来获得所要求的硅制品,加工工序主要分为单晶拉制和机械成型两部分。硅环加工来自百度文库程如下图2: Figure 2 Manufacturing process of silicon ring 图2 硅环加工流程图 硅电极和硅环的加工基本相同集成电路刻蚀用硅部件加工及最新发展百度文库2021年4月16日 3结论 硅片背面机械研磨减薄是一种物理损伤工艺，减薄会在硅片表面引入机械损伤。文中对比分析了粗磨、精磨、抛光和湿法腐蚀工艺后硅片表面与截面形貌，并且测试了硅片厚度、粗糙度和翘曲度，结合理论分析，得到结论如下：机械研磨减薄工艺中硅片表面形貌和损伤层厚度和研磨减薄砂轮 硅片背面减薄技术研究 知乎2023年11月2日 半导体制程培训CMP和蚀刻讲解了半导体制造工艺流程——刻蚀。化学机械平坦化 （ChemicalMechanical Planarization, CMP），又称化学机械研磨（ChemicalMechanical Polishing），是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。了解CMP设备、材料和工艺过程 CSDN博客
半导体抛光研磨废水处理方法｜半导体抛光研磨废水处理工艺
2024年8月13日 三、半导体抛光研磨废水处理工艺流程 （以下是一种常见的工艺流程 示例，实际中会根据废水特点和排放要求等进行调整） 预处理阶段： 格栅/滤网：去除废水中较大的颗粒物、纤维等杂质。调节池：均衡水质水量，保证后续处理工艺稳定运行
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